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首页 全部分类 BF1217WR,115 vs ZVP1320FTA

BF1217WR,115备选型号: ZVP1320FTA

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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BF1217WR,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH DUAL SOT343R
    SC-82A, SOT-343
    6V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    30mA
    unknown
    400MHz
    BF1217
    4
    18mA
    N-Channel Dual Gate
    30dB
    1dB
    5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZVP1320FTA
    Diodes Incorporated
    P-Channel 200 V 80 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-SOT-23
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    35mA Ta
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -35mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3
    7.994566mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    EAR99
    80Ohm
    Matte Tin (Sn)
    -200V
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    350mW
    8 ns
    P-Channel
    80 Ω @ 50mA, 10V
    3.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    8ns
    200V
    ±20V
    8 ns
    35mA
    -1.5V
    20V
    -200V
    5 pF
    1.02mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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