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BG3130H6327XTSA1备选型号: BF5030WH6327XTSA1

BG3130H6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

4 Weeks
Tin
表面贴装
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
6
2
Tape & Reel (TR)
2007
e3
Obsolete
1 (Unlimited)
6
EAR99
150°C
-55°C
低噪音
200mW
鸥翼
未说明
25mA
800MHz
未说明
BG3130
DUAL GATE, DEPLETION MODE
14mA
AMPLIFIER
无卤素
2 N-Channel (Dual)
25mA
6V
24dB
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
1.3dB
5V
符合RoHS标准
无铅
-
BF5030WH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT343

6 Weeks
Tin
表面贴装
SC-82A, SOT-343
4
1
Tape & Reel (TR)
2005
e3
Obsolete
1 (Unlimited)
-
EAR99
150°C
-55°C
-
200mW
-
-
25mA
800MHz
-
BF5030
-
10mA
-
无卤素
N-Channel
25mA
6V
24dB
-
1.3dB
3V
符合RoHS标准
无铅
无
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