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BG3130H6327XTSA1备选型号: BF998E6327HTSA1

BG3130H6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

4 Weeks
Tin
表面贴装
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
6
2
Tape & Reel (TR)
2007
e3
Obsolete
1 (Unlimited)
6
EAR99
150°C
-55°C
低噪音
200mW
鸥翼
未说明
25mA
800MHz
未说明
BG3130
DUAL GATE, DEPLETION MODE
14mA
AMPLIFIER
无卤素
2 N-Channel (Dual)
25mA
6V
24dB
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
1.3dB
5V
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BF998E6327HTSA1

Infineon Technologies

Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R

4 Weeks
Tin
表面贴装
TO-253-4, TO-253AA
4
1
Tape & Reel (TR)
2001
e3
不用于新设计
1 (Unlimited)
4
EAR99
150°C
-55°C
-
200mW
鸥翼
-
30mA
45MHz
-
BF998
DUAL GATE, DEPLETION MODE
10mA
-
不含卤素
N-Channel
30mA
8V
28dB
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2.8dB
-
ROHS3 Compliant
无铅
yes
12V
DUAL
4
SINGLE
1
SOURCE
0.03A
1.2pF
1mm
2.9mm
1.3mm
无
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