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BG3130H6327XTSA1备选型号: BF991,215
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 操作模式
- 测试电流
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 场效应管技术
- 噪声图
- 电压-测试
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 端子表面处理
- HTS代码
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 最大耗散功率(Abs)
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT3634 WeeksTin表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-36362Tape & Reel (TR)2007e3Obsolete1 (Unlimited)6EAR99150°C-55°C低噪音200mW鸥翼未说明25mA800MHz未说明BG3130DUAL GATE, DEPLETION MODE14mAAMPLIFIER无卤素2 N-Channel (Dual)25mA6V24dBMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.3dB5V符合RoHS标准无铅------------
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B---TO-253-4, TO-253AA-1Tape & Reel (TR)1996e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99----鸥翼26020mA100MHz40BF991DUAL GATE, DEPLETION MODE10mAAMPLIFIER-N-Channel Dual Gate--29dBMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.7dB10VROHS3 Compliant-YESSILICONTin (Sn)8541.21.00.754R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODESOURCE0.02A20V0.2W- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BF991,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-253-4, TO-253AA | MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B | 对比 |
 | BF998E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-253-4, TO-253AA | Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R | 对比 |
 | BF5030WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | SC-82A, SOT-343 | MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT343 | 对比 |
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