BLT50,115备选型号: 2SCR502UBTL
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- JESD-609代码
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
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- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- 最高频段
- 集电极-基极电容-最大值
- 环境耗散-最大值
- 功率增益-最小值(Gp)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 底架
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 元素配置
- 增益带宽积
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 无铅
- TRANS NPN 7.5V SOT22316 Weeks表面贴装TO-261-4, TO-261AAYESSILICON500mA175°C TJTape & Reel (TR)1998e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY8541.29.00.75DUAL鸥翼26040BLT504R-PDSO-G4不合格SINGLECOLLECTOR2WAMPLIFIERNPNNPN25 @ 300mA 5V10V470MHz2W超高频B型6pF2W10dBROHS3 Compliant------------------
- TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F13 Weeks表面贴装SC-85-SILICON30V150°C TJTape & Reel (TR)2012-活跃1 (Unlimited)3EAR99---DUALFLAT未说明未说明--R-PDSO-F3----AMPLIFIERNPNNPN200 @ 100mA 2V-------ROHS3 CompliantTin表面贴装85100mV200mWnot_compliantSingle360MHz30V500mA200nA ICBO300mV @ 10mA, 200mA360MHz30V30V6V500mA无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| UMF5NTR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6 | 对比 | |
| 2SCR502UBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-85 | TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F | 对比 | |
| BLT80,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | TO-261-4, TO-261AA | RF Bipolar Transistors NPN 7.5V 250mA UHF | 对比 |


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