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首页 全部分类 BSC009NE2LS5ATMA1 vs NTD4854NT4G

BSC009NE2LS5ATMA1备选型号: NTD4854NT4G

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  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    BSC009NE2LS5ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    41A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    0.9m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    无卤素
    3900pF @ 12V
    57nC @ 10V
    33ns
    ±16V
    19 ns
    100A
    20V
    25V
    41A
    0.00125Ohm
    400A
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4854NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    15.7A Ta 128A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    -
    4600pF @ 12V
    49.2nC @ 4.5V
    17.6ns
    ±20V
    8.5 ns
    128A
    20V
    -
    15.7A
    -
    225A
    338 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    4
    不合格
    Single
    2.5W
    25V
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