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首页 全部分类 BSC0923NDIATMA1 vs BSZ0506NSATMA1

BSC0923NDIATMA1备选型号: BSZ0506NSATMA1

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  • 场效应管特性
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  • 终端形式
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
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  • 最大双电源电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC0923NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ0506NSATMA1
    Infineon Technologies
    In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    15A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    N-Channel
    4.4m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    950pF @ 15V
    15nC @ 10V
    -
    40A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    DUAL
    无铅
    S-PDSO-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    无卤素
    2.4ns
    ±20V
    30V
    15A
    0.0053Ohm
    160A
    20 mJ
    含铅
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