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首页 全部分类 BSC0923NDIATMA1 vs FDMS8672S

BSC0923NDIATMA1备选型号: FDMS8672S

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  • RoHS状态
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  • 额定电流
  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC0923NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8672S
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A Ta 35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    N-Channel
    5mOhm @ 17A, 10V
    3V @ 1mA
    2515pF @ 15V
    47nC @ 10V
    30V
    35A
    20V
    -
    符合RoHS标准
    8-PQFN (5x6)
    150°C
    -55°C
    30V
    35A
    17ns
    ±20V
    7 ns
    30V
    2.515nF
    5mOhm
    5 mΩ
    无铅
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