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首页 全部分类 BSC0923NDIATMA1 vs IRFHM830TRPBF

BSC0923NDIATMA1备选型号: IRFHM830TRPBF

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  • 端子位置
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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC0923NDIATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    20V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM830TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VQFN Exposed Pad
    8
    21A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    2.7W
    N-Channel
    3.8m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2155pF @ 25V
    31nC @ 10V
    -
    21A
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    5
    6MOhm
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    25ns
    ±20V
    9.2 ns
    1.8V
    40A
    30V
    1.8 V
    1mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    无铅
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