BSD223PH6327XTSA1备选型号: BSD235CH6327XTSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 极性/通道类型
- 漏极-源极导通最大电阻
- 达到SVHC
- MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT36310 Weeks表面贴装表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2002yes活跃1 (Unlimited)6EAR99雪崩 额定8541.21.00.95-20V250mW鸥翼未说明-350mA未说明BSD223AEC-Q101SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.8 ns2 P-Channel (Dual)1.2 Ω @ 390mA, 4.5V1.2V @ 1.5μA无卤素56pF @ 15V0.62nC @ 4.5V5ns20V390mA12V-20V0.39AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门22 pF800μm2mm1.25mmROHS3 Compliant含铅------
- MOSFET N/P-CH 20V SOT36310 Weeks表面贴装表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON950mA 530mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2012yes活跃1 (Unlimited)6EAR99雪崩 额定8541.21.00.95-500mW鸥翼未说明-未说明BSD235AEC-Q101SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N and P-Channel350m Ω @ 950mA, 4.5V1.2V @ 1.6μA无卤素47pF @ 10V0.34nC @ 4.5V-20V530mA12V-20V0.95AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门----ROHS3 Compliant无铅e3Tin (Sn)DUALN-CHANNEL AND P-CHANNEL0.35Ohm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSD235CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | 对比 |
![]() | DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | 对比 |
![]() | DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | 对比 |




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