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首页 全部分类 BSD223PH6327XTSA1 vs DMP2004DWK-7

BSD223PH6327XTSA1备选型号: DMP2004DWK-7

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  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSD223PH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2002
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    雪崩 额定
    8541.21.00.95
    -20V
    250mW
    鸥翼
    未说明
    -350mA
    未说明
    BSD223
    AEC-Q101
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.8 ns
    2 P-Channel (Dual)
    1.2 Ω @ 390mA, 4.5V
    1.2V @ 1.5μA
    无卤素
    56pF @ 15V
    0.62nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    390mA
    12V
    -20V
    0.39A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    22 pF
    800μm
    2mm
    1.25mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP2004DWK-7
    Diodes Incorporated
    Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    低阈值
    -
    -
    250mW
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    900m Ω @ 430mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    -
    175pF @ 16V
    -
    -
    20V
    430mA
    8V
    -
    0.43A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.010099mg
    e3
    900mOhm
    Matte Tin (Sn)
    6
    Dual
    250mW
    SWITCHING
    无SVHC
    无
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