BSL214NL6327HTSA1备选型号: CPH6636R-TL-W

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    2013
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE
    8541.21.00.95
    500mW
    鸥翼
    BSL214
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 3.7μA
    143pF @ 10V
    0.8nC @ 5V
    7.6ns
    20V
    1.4 ns
    1.5A
    12V
    0.14Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    9 pF
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    -
    22 μs
    150°C TJ
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    900mW
    -
    -
    -
    -
    -
    65 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    20m Ω @ 3A, 4.5V
    -
    -
    3nC @ 4.5V
    300ns
    24V
    98 μs
    6A
    12V
    -
    -
    -
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    24V
    无铅
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