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BSL214NL6327HTSA1备选型号: DMP2004DMK-7
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 包装
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJ2013OptiMOS™Tape & Reel (TR)yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE8541.21.00.95500mW鸥翼BSL2146SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4.1 ns2 N-Channel (Dual)140m Ω @ 1.5A, 4.5V1.2V @ 3.7μA143pF @ 10V0.8nC @ 5V7.6ns20V1.4 ns1.5A12V0.14Ohm20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门9 pF符合RoHS标准无--------------
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJ2011-Tape & Reel (TR)yes活跃1 (Unlimited)6EAR99HIGH RELIABILITY-500mW鸥翼-6-增强型MOSFET-2 P-Channel (Dual)900m Ω @ 430mA, 4.5V1V @ 250μA175pF @ 16V--20V-550mA8V0.9Ohm-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门-ROHS3 Compliant无16 Weekse3Matte Tin (Sn)260402DualSWITCHING0.55A-20V1.1mm3mm1.6mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPH6636R-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |
 | DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 | 对比 |
 | FDFC2P100 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | 对比 |
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