您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSL214NL6327HTSA1 vs FDFC2P100

BSL214NL6327HTSA1备选型号: FDFC2P100

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 功率耗散
  • 正向电流
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSL214NL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    2013
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMAIBLE
    8541.21.00.95
    500mW
    鸥翼
    BSL214
    6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    140m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.2V @ 3.7μA
    143pF @ 10V
    0.8nC @ 5V
    7.6ns
    20V
    1.4 ns
    1.5A
    12V
    0.14Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    9 pF
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDFC2P100
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    -
    1.5W Ta
    -55°C~150°C TJ
    2006
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    150m Ω @ 3A, 4.5V
    -
    445pF @ 10V
    4.7nC @ 10V
    11ns
    20V
    11 ns
    3A
    12V
    -
    -
    -
    Schottky Diode (Isolated)
    -
    符合RoHS标准
    -
    1.5V @ 250μA
    1.5W
    1mA
    ±12V
    -900mV
    -20V
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
CPH6636R-TL-W CPH6636R-TL-W ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Trans MOSFET N-CH 24V 6A 6-Pin CPH T/R 对比
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 对比
FDFC2P100 FDFC2P100 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV 对比