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首页 全部分类 BSL306NH6327XTSA1 vs FDC6561AN

BSL306NH6327XTSA1备选型号: FDC6561AN

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  • 额定电流
  • 电压
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  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL306NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    8.3 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    500mW
    未说明
    未说明
    4.4 ns
    500mW
    2 N-Channel (Dual)
    57m Ω @ 2.3A, 10V
    2V @ 11μA
    无卤素
    275pF @ 15V
    1.6nC @ 5V
    2.3ns
    1.4 ns
    2.3A
    20V
    30V
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    1mm
    2.9mm
    1.6mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6561AN
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    960mW
    -
    -
    6 ns
    700mW
    2 N-Channel (Dual)
    95m Ω @ 2.5A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    220pF @ 15V
    3.2nC @ 5V
    10ns
    10 ns
    2.5A
    20V
    -
    逻辑电平门
    1mm
    3mm
    1.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    SILICON
    e3
    6
    95mOhm
    逻辑电平兼容
    30V
    鸥翼
    2.5A
    30V
    Dual
    24A
    增强型MOSFET
    960mW
    SWITCHING
    30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.8 V
    无SVHC
    无
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