BSP179H6327XTSA1备选型号: FDT3N40TF
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
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- 输入电容
- 场效应管特性
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- RoHS状态
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- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
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- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-22310 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AAPG-SOT223-4210mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2013Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel18Ohm @ 210mA, 10V1V @ 94μA无卤素135pF @ 25V6.8nC @ 5V400V±20V210mA400V135pF耗尽模式18 ΩROHS3 Compliant无铅-------------------------------
- FDT3N40TF N-Channel MOSFET, 2 A, 400 V UniFET, 3 Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor24 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA-2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™2009活跃1 (Unlimited)--N-Channel3.4 Ω @ 1A, 10V5V @ 250μA-225pF @ 25V6nC @ 10V-±30V2A----ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)Tin3188mgSILICONe3yes4EAR99DUAL鸥翼R-PDSO-G4Single增强型MOSFET2WDRAIN10 nsSWITCHING30ns25 ns5V30V2A400V8A46 mJ1.6mm6.5mm3.5mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STN3N45K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3 | 对比 |
![]() | BSP324H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | STN3N40K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 | 对比 |




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