STMicroelectronics STN3N40K3
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STN3N40K3
2381-STN3N40K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
--最小包装量--
STN3N40K3详情
STMicroelectronics STN3N40K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.3W Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH3™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.4Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN3N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
3.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.4 Ω @ 600mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
165pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
1.8A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
400V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.9mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STN3N40K3拓展信息
STMicroelectronics
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