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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.284795
10
¥3.098863
100
¥2.923455
500
¥2.757976
1000
¥2.601866
Infineon Technologies BSP324H6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BSP324H6327XTSA1
1211-BSP324H6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP324H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP324H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
170mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SIPMOS®
已出版
2008
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1.7W
接通延迟时间
4.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25Ohm @ 170mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 94μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
154pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.9nC @ 10V
上升时间
4.4ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
68 ns
连续放电电流(ID)
170mA
阈值电压
1.9V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
400V
双电源电压
400V
输入电容
154pF
漏源电阻
13.6Ohm
最大rds
25 Ω
栅源电压
1.9 V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
6.7mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP324H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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