STMicroelectronics STN3N45K3
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STN3N45K3
2381-STN3N45K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
--最小包装量--
STN3N45K3详情
STMicroelectronics STN3N45K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
9 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
600mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
SuperMESH3™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.8Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN3N
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
600mA
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.6A
漏源击穿电压
450V
高度
1.8mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STN3N45K3拓展信息
STMicroelectronics
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