Infineon Technologies BSP179H6327XTSA1
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BSP179H6327XTSA1
1211-BSP179H6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
--最小包装量--
BSP179H6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSP179H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
PG-SOT223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
210mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V 10V
Power Dissipation (Max)
1.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SIPMOS®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18Ohm @ 210mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 94μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
135pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
210mA
最大双电源电压
400V
输入电容
135pF
场效应管特性
耗尽模式
最大rds
18 Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP179H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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