BSS126H6327XTSA2备选型号: BSS119NH6327XTSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 操作模式
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SOT-23-321mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2003活跃1 (Unlimited)700Ohm150°C-55°CSingle500mW6.1 nsN-Channel500Ohm @ 16mA, 10V1.6V @ 8μA无卤素28pF @ 25V2.1nC @ 5V9.7ns600V±20V17mA20V600V21pF耗尽模式700Ohm700 mΩ1mm2.9mm1.3mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
- Single N-Channel 100 V 6 Ohm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-2310 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-190mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)OptiMOS™2002活跃1 (Unlimited)---Single500mW2.7 nsN-Channel6 Ω @ 190mA, 10V2.3V @ 13μA无卤素20.9pF @ 25V0.6nC @ 10V3.3ns-±20V190mA20V100V----1.1mm2.9mm1.3mm-ROHS3 Compliant无铅SILICONe3yes3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL鸥翼260401增强型MOSFET18.8 ns6Ohm100V150°C
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
![]() | BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 100 V 6 Ohm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | 对比 |
![]() | BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 100V 6 Ohm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | 对比 |



哦! 它是空的。