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BSS84PH6433XTMA1备选型号: BSS123NH6433XTMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅代码
- 参考标准
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON170mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SIPMOS®2002e3活跃1 (Unlimited)3EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL鸥翼1Single增强型MOSFET360mW6.7 nsP-ChannelSWITCHING8 Ω @ 170mA, 10V2V @ 20μA19pF @ 25V1.5nC @ 10V16.2ns60V±20V20.5 ns-170mA20V8Ohm-60V150°C1.1mm2.9mm1.3mm无ROHS3 Compliant----- MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-310 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON190mA Ta-55°C~150°C TJCut Tape (CT)OptiMOS™2012-活跃1 (Unlimited)3-逻辑电平兼容DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET-2.3 nsN-Channel-6 Ω @ 190mA, 10V1.8V @ 13μA20.9pF @ 25V0.9nC @ 10V3.2ns100V±20V22 ns190mA20V6Ohm--1mm2.9mm1.3mm-ROHS3 CompliantyesAEC-Q1010.19A100V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS123L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 | 对比 |
 | NTR5105PT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 0.196A SOT23 | 对比 |
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | 对比 |
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