CPH3456-TL-W备选型号: IRLML6402GTRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 制造商包装标识符
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)7 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON3.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)3DUAL鸥翼not_compliantR-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET6.2 nsN-Channel71m Ω @ 1.5A, 4.5V1.3V @ 1mA260pF @ 10V2.8nC @ 4.5V19ns20V±12V28 ns3.5A12V0.071Ohm20VROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3-18 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3SILICON3.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3-Discontinued1 (Unlimited)3DUAL鸥翼---增强型MOSFET350 nsP-Channel65m Ω @ 3.7A, 4.5V1.2V @ 250μA633pF @ 10V12nC @ 5V48ns20V±12V381 ns-3.7A12V--ROHS3 Compliant无铅3IRLML6402GTRPBFHEXFET®EAR9965MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1Single1.3WSWITCHING-20V22A150°C1.12mm3.0226mm1.397mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 | 对比 |
![]() | IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 | 对比 |



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