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首页 全部分类 CPH3456-TL-W vs IRLML6402TRPBF

CPH3456-TL-W备选型号: IRLML6402TRPBF

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  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 终端
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    CPH3456-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 3-Pin CPH T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    3.5A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    6.2 ns
    N-Channel
    71m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    260pF @ 10V
    2.8nC @ 4.5V
    19ns
    20V
    ±12V
    28 ns
    3.5A
    12V
    0.071Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML6402TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    3.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    350 ns
    P-Channel
    65m Ω @ 3.7A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    633pF @ 10V
    12nC @ 5V
    48ns
    20V
    ±12V
    381 ns
    -3.7A
    12V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    Micro3
    HEXFET®
    SMD/SMT
    EAR99
    65mOhm
    HIGH RELIABILITY
    -20V
    260
    -3.7A
    30
    1
    Single
    1.3W
    SWITCHING
    -550mV
    -20V
    22A
    -20V
    150°C
    -550 mV
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
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