CPH6355-TL-W备选型号: FDC654P
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin CPH T/RACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)4 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON3A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes不用于新设计1 (Unlimited)6DUAL鸥翼not_compliantR-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4.6 nsP-Channel169m Ω @ 1.5A, 10V2.6V @ 1mA172pF @ 10V3.9nC @ 10V6.6ns30V±20V11.4 ns3A20V3A0.169Ohm12A30VROHS3 Compliant无铅------------------
- Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)6DUAL鸥翼---增强型MOSFET6 nsP-Channel75m Ω @ 3.6A, 10V3V @ 250μA298pF @ 15V9nC @ 10V13ns30V±20V13 ns3.6A20V----ROHS3 Compliant无铅636mgPowerTrench®EAR9975MOhmTin (Sn)-30V-3.6ASingle1.6WSWITCHING-1.9V-30V1mm3mm1.7mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 对比 |
![]() | IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
| FDC654P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |



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