您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CPH6355-TL-W vs IRLMS1503TRPBF

CPH6355-TL-W备选型号: IRLMS1503TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 系列
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    CPH6355-TL-W
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin CPH T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    SILICON
    3A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    4.6 ns
    P-Channel
    169m Ω @ 1.5A, 10V
    2.6V @ 1mA
    172pF @ 10V
    3.9nC @ 10V
    6.6ns
    30V
    ±20V
    11.4 ns
    3A
    20V
    3A
    0.169Ohm
    12A
    30V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS1503TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    4.6 ns
    N-Channel
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    210pF @ 25V
    9.6nC @ 10V
    4.4ns
    -
    ±20V
    2 ns
    3.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6
    HEXFET®
    SMD/SMT
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    30V
    未说明
    3.2A
    未说明
    Single
    1.7W
    SWITCHING
    36 ns
    1V
    30V
    1 V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP 对比
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 对比
FDC654P FDC654P ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R 对比