CSD16321Q5C备选型号: FDMS8558SDC

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Texas Instruments
    MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
    NRND (Last Updated: 4 weeks ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    31A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD16321
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 25A, 8V
    1.4V @ 250μA
    3100pF @ 12.5V
    19nC @ 4.5V
    15ns
    25V
    +10V, -8V
    17 ns
    100A
    1.1V
    10V
    200A
    25V
    1.1 V
    1.05mm
    5mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    -
    表面贴装
    -
    -
    8
    -
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    14 ns
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    8ns
    25V
    -
    7 ns
    90A
    1.4V
    12V
    140A
    -
    -
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    90mg
    yes
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    89W
    FLAT
    R-PDSO-F5
    N-CHANNEL
    MO-240AA
    25V
    5.118nF
    145 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.7mOhm
    1.5 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLH6224TRPBF IRLH6224TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 对比
FDMS8558SDC FDMS8558SDC ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V 对比
STB155N3LH6 STB155N3LH6 STMicroelectronics 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 对比