CSD16321Q5C备选型号: FDMS8558SDC
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 终端形式
- JESD-30代码
- 极性/通道类型
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- MOSFET N-CH 25V 100A 8SONNRND (Last Updated: 4 weeks ago)Tin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON31A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD163218Single增强型MOSFET3.1WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 25A, 8V1.4V @ 250μA3100pF @ 12.5V19nC @ 4.5V15ns25V+10V, -8V17 ns100A1.1V10V200A25V1.1 V1.05mm5mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅----------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 VLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)-表面贴装--8-1-Tape & Reel (TR)-e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99-DUAL---Single增强型MOSFET41WDRAIN14 ns-SWITCHING----8ns25V-7 ns90A1.4V12V140A--1.05mm5.1mm5.85mm-无SVHC无符合RoHS标准无铅90mgyesTin (Sn)150°C-55°C89WFLATR-PDSO-F5N-CHANNELMO-240AA25V5.118nF145 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR5.7mOhm1.5 mΩ
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | 对比 |
| FDMS8558SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V | 对比 | ||
![]() | STB155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |





哦! 它是空的。