ON Semiconductor FDMS8558SDC
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FDMS8558SDC
1807-FDMS8558SDC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V
1最小包装量--
FDMS8558SDC详情
ON Semiconductor FDMS8558SDC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
底架
表面贴装
引脚数
8
质量
90mg
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
51 ns
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
89W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
41W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
90A
阈值电压
1.4V
JEDEC-95代码
MO-240AA
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
140A
输入电容
5.118nF
雪崩能量等级(Eas)
145 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5.7mOhm
最大rds
1.5 mΩ
高度
1.05mm
长度
5.1mm
宽度
5.85mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDMS8558SDC拓展信息
ON Semiconductor
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