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CSD16321Q5C备选型号: STB155N3LH6
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 25V 100A 8SONNRND (Last Updated: 4 weeks ago)Tin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON31A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD163218Single增强型MOSFET3.1WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 25A, 8V1.4V @ 250μA3100pF @ 12.5V19nC @ 4.5V15ns25V+10V, -8V17 ns100A1.1V10V200A25V1.1 V1.05mm5mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅---------
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON80A Tc-55°C~175°C TJCut Tape (CT)DeepGATE™, STripFET™ VIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99ULTRA-LOW RESISTANCE-245STB155N3Single增强型MOSFET110WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 40A, 10V2.5V @ 250μA3800pF @ 25V80nC @ 5V85ns-±20V40 ns80A1V20V---4.6mm10.75mm10.4mm-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅20 Weeks3MOhmMatte Tin (Sn) - annealed鸥翼30R-PSSO-G2TO-25230V525 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 | 对比 |
 | FDMS8558SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V | 对比 | |
| STB155N3LH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 对比 |
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