CSD18532NQ5BT备选型号: AUIRFS3207Z
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 100AACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN88-VSON-CLIP (5x6)3.1W Ta 156W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™活跃1 (Unlimited)150°C-55°CCSD18532SingleN-Channel3.4mOhm @ 25A, 10V3.4V @ 250μA5340pF @ 30V64nC @ 10V60V±20V100A2.8V5.34nF2.7mOhm3.4 mΩ5mm6mm950μm无SVHCROHS3 Compliant含铅-------------------------
- MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®Discontinued1 (Unlimited)----N-Channel4.1m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6920pF @ 50V170nC @ 10V-±20V120A2V---10.67mm9.65mm-无SVHCROHS3 Compliant-TinSILICON2011e32EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼26030R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAIN20 nsSWITCHING68ns68 ns20V75V670A4.83mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB088N08 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
![]() | IRL2505STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS3207Z | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |





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