CSD18532NQ5BT
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Texas Instruments CSD18532NQ5BT

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型号

CSD18532NQ5BT

utmel 编号

2502-CSD18532NQ5BT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 100A

起订量

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CSD18532NQ5BT
CSD18532NQ5BT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A

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CSD18532NQ5BT详情

Texas Instruments CSD18532NQ5BT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 供应商器件包装

    8-VSON-CLIP (5x6)

  • Power Dissipation (Max)

    3.1W Ta 156W Tc

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    100A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    6V 10V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 基本部件号

    CSD18532

  • 元素配置

    Single

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.4mOhm @ 25A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5340pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    64nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    100A

  • 阈值电压

    2.8V

  • 输入电容

    5.34nF

  • 漏源电阻

    2.7mOhm

  • 最大rds

    3.4 mΩ

  • 长度

    5mm

  • 宽度

    6mm

  • 器件厚度

    950μm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Texas Instruments CSD18532NQ5BT.

右边的3个型号有着和Texas Instruments & CSD18532NQ5BT相似的参数规格。

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CSD18532NQ5BT拓展信息

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