Texas Instruments CSD18532NQ5BT
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CSD18532NQ5BT
2502-CSD18532NQ5BT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 60V 100A
--最小包装量--
CSD18532NQ5BT详情
Texas Instruments CSD18532NQ5BT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
8-VSON-CLIP (5x6)
Power Dissipation (Max)
3.1W Ta 156W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
CSD18532
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5340pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
100A
阈值电压
2.8V
输入电容
5.34nF
漏源电阻
2.7mOhm
最大rds
3.4 mΩ
长度
5mm
宽度
6mm
器件厚度
950μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD18532NQ5BT拓展信息
Texas Instruments
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