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首页 全部分类 CSD18532NQ5BT vs IRL2505STRLPBF

CSD18532NQ5BT备选型号: IRL2505STRLPBF

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  • 输入电容
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  • 宽度
  • 器件厚度
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  • 晶体管元件材料
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD18532NQ5BT
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 60V 100A
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-VSON-CLIP (5x6)
    3.1W Ta 156W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    CSD18532
    Single
    N-Channel
    3.4mOhm @ 25A, 10V
    3.4V @ 250μA
    5340pF @ 30V
    64nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    2.8V
    5.34nF
    2.7mOhm
    3.4 mΩ
    5mm
    6mm
    950μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
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  • Infineon Technologies
    IRL2505STRLPBF
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 55 V 0.008 Ohm 130 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    104A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    8m Ω @ 54A, 10V
    2V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    130nC @ 5V
    -
    ±16V
    104A
    2V
    -
    -
    -
    10.668mm
    9.65mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    SILICON
    1998
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY
    55V
    鸥翼
    260
    104A
    30
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    160ns
    84 ns
    16V
    55V
    55V
    500 mJ
    210 ns
    2 V
    4.699mm
    无
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