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首页 全部分类 CSD18532NQ5BT vs FDB088N08

CSD18532NQ5BT备选型号: FDB088N08

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  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD18532NQ5BT
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 60V 100A
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    8-VSON-CLIP (5x6)
    3.1W Ta 156W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    CSD18532
    Single
    N-Channel
    3.4mOhm @ 25A, 10V
    3.4V @ 250μA
    5340pF @ 30V
    64nC @ 10V
    60V
    ±20V
    100A
    2.8V
    5.34nF
    2.7mOhm
    3.4 mΩ
    5mm
    6mm
    950μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB088N08
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB088N08 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 75 V, 0.0073 ohm, 10 V, 2 V
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    Single
    N-Channel
    8.8m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6595pF @ 25V
    118nC @ 10V
    -
    ±20V
    120A
    2V
    -
    -
    -
    10.67mm
    11.33mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    1.31247g
    SILICON
    2004
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    160W
    DRAIN
    45 ns
    SWITCHING
    158ns
    102 ns
    20V
    85A
    0.0088Ohm
    75V
    4.83mm
    无
  • 添加型号
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