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CSD18533Q5A备选型号: IRFS3306TRLPBF
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 60V 17A 8SONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON17A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL260CSD18533Single增强型MOSFET3.2WDRAIN5.2 nsN-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 18A, 10V2.3V @ 250μA2750pF @ 30V36nC @ 10V5.5ns60V±20V2 ns100A1.9V20V60V1.9 V9 pF1.1mm4.9mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant含铅--------
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®--活跃1 (Unlimited)-------Single-230W-15 nsN-Channel-4.2mOhm @ 75A, 10V4V @ 150μA4520pF @ 50V120nC @ 10V46ns60V±20V77 ns120A4V20V-4 V-4.826mm10.668mm9.65mm-无SVHC无ROHS3 Compliant无铅D2PAK2005175°C-55°C60V4.52nF4.2mOhm4.2 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| IRFS7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
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