Texas Instruments CSD18533Q5A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 116W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD18533

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2750pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

5.5ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

60V

栅源电压

1.9 V

反馈上限-最大值 (Crss)

9 pF

高度

1.1mm

长度

4.9mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅