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CSD23202W10备选型号: IRLML6401TRPBF
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- 包装/外壳
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装4-UFBGA, DSBGA4SILICON2.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e1yes活跃1 (Unlimited)4EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)BOTTOMBALL260未说明CSD232021Single增强型MOSFET1W9 nsP-ChannelSWITCHING53m Ω @ 500mA, 4.5V900mV @ 250μA512pF @ 6V3.8nC @ 4.5V4ns12V-6V21 ns2.2A6V-12V37 pF625μm0m0m650μmROHS3 Compliant无铅-------------
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL鸥翼26030-1Single增强型MOSFET1.3W11 nsP-ChannelSWITCHING50m Ω @ 4.3A, 4.5V950mV @ 250μA830pF @ 10V15nC @ 5V32ns12V±8V210 ns-4.3A8V-12V-1.12mm3.0226mm1.397mm-ROHS3 Compliant无铅Tin2003SMD/SMT50mOhmHIGH RELIABILITY-12V-4.3A-550mV-12V150°C-550 mV无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 | 对比 |
 | FDN306P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ON SEMICONDUCTOR - FDN306P - Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.6 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
 | DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-XFDFN | MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 | 对比 |
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