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首页 全部分类 CSD87330Q3D vs IRF7862TRPBF

CSD87330Q3D备选型号: IRF7862TRPBF

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  • 功能数量
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 效率
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 输入电压-Nom
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大输出电压
  • 场效应管类型
  • 最大输入电压
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 切换器配置
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • Texas Instruments
    CSD87330Q3D
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerLDFN
    8
    9.1 ns
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    6W
    260
    1
    0.65mm
    CSD87330
    8
    1
    90 %
    可调式
    15A
    12V
    开关控制器
    Dual
    6W
    1.2V
    2 N-Channel (Half Bridge)
    27V
    2.1V @ 250μA
    900pF @ 15V
    5.8nC @ 4.5V
    7.5ns
    20mA
    30V
    1.6 ns
    PUSH-PULL
    20A
    1V
    1.15V
    30V
    逻辑电平门
    1.5mm
    3.3mm
    3.3mm
    1.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7862TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    21A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    -
    N-Channel
    -
    2.35V @ 100μA
    4090pF @ 15V
    45nC @ 4.5V
    19ns
    -
    -
    11 ns
    -
    21A
    -
    20V
    30V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2007
    3.3MOhm
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16 ns
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 20A, 10V
    ±20V
    350 mJ
    2.35 V
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