CSD87355Q5D备选型号: FDMS7650DC
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 功能数量
- 端子间距
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 输入电压-Nom
- 模拟 IC - 其他类型
- 场效应管类型
- 输入电压(最大)
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 控制技术
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 切换器配置
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 开关频率-最大值
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 附加功能
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 辐射硬化
- MOSFET 2N-CH 30V 8LSONACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 Weeks表面贴装8-PowerLDFNYES8-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)12W无铅11.27mmnot_compliantCSD8735512V开关稳压器2 N-Channel (Dual) Asymmetrical27V1.9V @ 250μA脉宽调制1860pF @ 15V13.7nC @ 4.5V30VBUCK45A1.9V1500kHzStandard3.9mOhm5mm6mm1.5mm无SVHCROHS3 Compliant含铅-------------------------
- FDMS7650DC N-Channel MOSFET, 289 A, 30 V PowerTrench, 8-Pin Power 56 ON SemiconductorACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装8-PowerTDFN-8-55°C~150°C TJCut Tape (CT)Dual Cool™, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99--FLAT------N-Channel-2.7V @ 250μA-14765pF @ 15V206nC @ 10V--47A1.9V---5mm6mm-无SVHCROHS3 Compliant-Tin表面贴装90mgSILICON47A Ta 100A Tc2009ULTRA-LOW RESISTANCER-PDSO-F5Single增强型MOSFET3.3W排水源头29 nsSWITCHING0.99m Ω @ 36A, 10V28ns±20V20 nsMO-240AA20V0.00099Ohm30V200A1.05mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | 对比 |
![]() | IRF6621TR1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SQ | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | 对比 |
| FDP6035AL | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 | 对比 |





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