CYDM128B16-55BVXIT备选型号: CYDM256B16-55BVXI
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 待机电压-最小值
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 引脚数量
- 电源电流
- 同步/异步
- 字长
- IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA表面贴装100-VFBGAYES100Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2005e1yesObsolete3 (168 Hours)100EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 3V~3.6VBOTTOM26011.8V0.5mm20CYDM1.8V1.9V1.8/3V1.7V128Kb 8K x 1620.06mASRAMParallel8KX163-STATE1655ns26b128 kb0.000006A55 nsCOMMON1.7V6mm1mm无ROHS3 Compliant无铅------
- SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND表面贴装100-VFBGA-100Volatile-40°C~85°C TATray1996e1yesObsolete3 (168 Hours)100EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)1.7V~1.9V 2.4V~2.6V 2.7V~3.3VBOTTOM26011.8V0.5mm30CYDM1.8V1.9V1.8/3V1.7V256Kb 16K x 162-SRAMParallel16KX163-STATE1655ns28b256 kb0.000006A55 nsCOMMON1.7V6mm1mm无ROHS3 Compliant无铅8 Weeks表面贴装10025mAAsynchronous16b
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16320C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 84-TFBGA | DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA | 对比 | |
![]() | CYDM256B16-55BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 100-VFBGA | SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND | 对比 |
![]() | CYDM064B16-55BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 100-VFBGA | IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA | 对比 |



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