DMC2020USD-13备选型号: IRF7404TRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 行间距
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO16 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)873.992255mgSILICON7.8A 6.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)1.8WDUAL鸥翼260408增强型MOSFETN and P-ChannelSWITCHING20m Ω @ 7A, 4.5V1.5V @ 250μA1149pF @ 10V11.6nC @ 4.5VN-CHANNEL AND P-CHANNEL6.3A10V6.5A20V33.6AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON6.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2004e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99--DUAL鸥翼26030-增强型MOSFETP-Channel-40m Ω @ 3.2A, 4.5V700mV @ 250μA1500pF @ 15V50nC @ 4.5V--6.7A12V5.3A-20V---1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinHEXFET®40mOhm逻辑电平兼容-20V-6.7A6.3 mmSingle2.5W14 ns32ns20V±12V65 ns-700mV-20V100 ns-700 mV
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7404TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC | 对比 |
![]() | DMN2029USD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO | 对比 |
![]() | DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO | 对比 |




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