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首页 全部分类 DMC2020USD-13 vs DMN2041LSD-13

DMC2020USD-13备选型号: DMN2041LSD-13

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • Diodes Incorporated
    DMC2020USD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    7.8A 6.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.8W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1149pF @ 10V
    11.6nC @ 4.5V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6.3A
    10V
    6.5A
    20V
    33.6A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2041LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.16W
    -
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    550pF @ 10V
    15.6nC @ 10V
    -
    7.63A
    12V
    7.6A
    -
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    HIGH RELIABILITY
    DMN2041LSD
    1.16W
    4.69 ns
    13.19ns
    20V
    6.43 ns
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