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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.104641
10
¥1.985511
100
¥1.873123
500
¥1.767098
1000
¥1.667073
Diodes Incorporated DMC2020USD-13
- 收藏
- 对比
DMC2020USD-13
671-DMC2020USD-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC2020USD-13详情
Diodes Incorporated DMC2020USD-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.8A 6.3A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
94.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.8W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1149pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.6nC @ 4.5V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
6.3A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.5A
漏源击穿电压
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
33.6A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMC2020USD-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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