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首页 全部分类 DMC3028LSD-13 vs IRF7807VTRPBF

DMC3028LSD-13备选型号: IRF7807VTRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • Diodes Incorporated
    DMC3028LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6.6A 6.8A
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.8W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMC3028LSD
    8
    增强型MOSFET
    2.1W
    3.5 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    472pF @ 15V
    10.5nC @ 10V
    4.9ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    28 ns
    7.4A
    20V
    5.5A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7807VTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2003
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.5W
    6.3 ns
    N-Channel
    -
    25m Ω @ 7A, 4.5V
    3V @ 250μA
    -
    14nC @ 5V
    1.2ns
    -
    2.2 ns
    8.3A
    20V
    -
    30V
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    ROHS3 Compliant
    无
    -
    无铅
    HEXFET®
    25MOhm
    30V
    8.3A
    Single
    ±20V
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