DMC6070LFDH-7备选型号: DMN6070SFCL-7

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 参考标准
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN
    8
    SILICON
    3.1A 2.4A
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.4W
    DUAL
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    1.4W
    9.6 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.5A, 10V
    3V @ 250μA
    731pF @ 20V
    11.5nC @ 10V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    2.4A
    20V
    3.1A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800μm
    3.05mm
    3.05mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -
    -
    DUAL
    -
    增强型MOSFET
    -
    3.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 1.5A, 10V
    3V @ 250μA
    606pF @ 20V
    12.3nC @ 10V
    -
    3A
    20V
    3A
    60V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    23 Weeks
    无铅
    DMN6070
    S-PDSO-N3
    1
    Single
    DRAIN
    4.1ns
    ±20V
    11 ns
    0.085Ohm
    无铅
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