Diodes Incorporated DMC6070LFDH-7

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.1A 2.4A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

61 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.4W

端子位置

DUAL

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

9.6 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

731pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 10V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.1A

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

800μm

长度

3.05mm

宽度

3.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant