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DMC6070LFDH-7备选型号: ECH8619-TL-E
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 参考标准
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8表面贴装表面贴装8-WDFN8SILICON3.1A 2.4A-55°C~150°C TJCut Tape (CT)2013e3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY1.4WDUALAEC-Q101增强型MOSFET1.4W9.6 nsN and P-ChannelSWITCHING85m Ω @ 1.5A, 10V3V @ 250μA731pF @ 20V11.5nC @ 10VN-CHANNEL AND P-CHANNEL2.4A20V3.1A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门800μm3.05mm3.05mm无ROHS3 Compliant----------
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8-3A 2A150°C TJTape & Reel (TR)2007-Obsolete1 (Unlimited)----1.5W---1.5W-N and P-Channel-93mOhm @ 1.5A, 10V-560pF @ 20V12.8nC @ 10V-2A20V---逻辑电平门----符合RoHS标准8-ECH93mOhm150°C-55°CECH86191.5W60V560pF93mOhm93 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ECH8619-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 | 对比 |
 | FDC5614P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6 | 对比 |
 | BSP318SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
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