ON Semiconductor ECH8619-TL-E
- 收藏
- 对比
ECH8619-TL-E
1807-ECH8619-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SMD, Flat Lead
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
1最小包装量--
ECH8619-TL-E详情
ON Semiconductor ECH8619-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
引脚数
8
供应商器件包装
8-ECH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A 2A
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
93mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.5W
基本部件号
ECH8619
功率耗散
1.5W
功率 - 最大
1.5W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
93mOhm @ 1.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
560pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
93mOhm
最大rds
93 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
ECH8619-TL-E拓展信息










哦! 它是空的。