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DMG4800LK3-13备选型号: DMN3016LK3-13
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 电容量
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 30V 10A TO25215 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3.949996gSILICON26.33 ns2012Digi-Reel®-55°C~150°C TJe3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼260404SINGLE WITH BUILT-IN DIODE2增强型MOSFET1.71WDRAIN5.03 nsN-ChannelSWITCHING17m Ω @ 9A, 10V1.6V @ 250μA798pF @ 10V8.7nC @ 5V4.5ns±25V8.55 ns10A25V30V48AROHS3 Compliant无无SVHC无铅------ MOSFET N-CH 30V 12.4A TO25223 WeeksTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3.949996g-12.4A Ta2014Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3-活跃1 (Unlimited)-EAR99Matte Tin (Sn)---未说明未说明--1---4.8 nsN-Channel-12m Ω @ 11A, 10V2.3V @ 250μA1415pF @ 15V25.1nC @ 10V16.5ns±20V5.6 ns12.4A20V30V-ROHS3 Compliant---1.415nFSingle2.29mm6.1mm6.58mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3016LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 | 对比 |
 | NTD4815NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK | 对比 |
| NTD4809NAT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK | 对比 |
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