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首页 全部分类 DMG4800LK3-13 vs NTD4815NHT4G

DMG4800LK3-13备选型号: NTD4815NHT4G

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMG4800LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 10A TO252
    15 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3.949996g
    SILICON
    26.33 ns
    2012
    Digi-Reel®
    -55°C~150°C TJ
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2
    增强型MOSFET
    1.71W
    DRAIN
    5.03 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17m Ω @ 9A, 10V
    1.6V @ 250μA
    798pF @ 10V
    8.7nC @ 5V
    4.5ns
    ±25V
    8.55 ns
    10A
    25V
    30V
    48A
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4815NHT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    6.9A Ta 35A Tc
    2008
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    4
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.92W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 30A, 10V
    2.5V @ 250μA
    845pF @ 12V
    6.8nC @ 4.5V
    17.6ns
    ±20V
    17.6 ns
    8.5A
    20V
    30V
    87A
    符合RoHS标准
    -
    -
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    6.9A
    35.6 mJ
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