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首页 全部分类 DMHC3025LSD-13 vs IRF7316GTRPBF

DMHC3025LSD-13备选型号: IRF7316GTRPBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMHC3025LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
    18 Weeks
    Tin
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6A 4.2A
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    1.5W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMHC3025LSD
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    1.5W
    7.5 ns
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    SWITCHING
    25m Ω @ 5A, 10V
    2V @ 250μA
    590pF @ 15V
    11.7nC @ 10V
    4.9ns
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    13.5 ns
    4.2A
    2V
    20V
    6A
    0.025Ohm
    -30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.7mm
    4.95mm
    3.95mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7316GTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    -
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    -
    4.9A
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    2009
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    2W
    -
    -
    -
    -
    IRF7316GPBF
    -
    -
    2W
    13 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    58mOhm @ 4.9A, 10V
    1V @ 250μA
    710pF @ 25V
    34nC @ 10V
    20ns
    30V
    -
    48 ns
    4.9A
    -
    20V
    -
    -
    -30V
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    8-SO
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    Dual
    2W
    710pF
    58mOhm
    58 mΩ
    无
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